Video: Wie berechnet man die eingebaute Spannung?
2024 Autor: Miles Stephen | [email protected]. Zuletzt bearbeitet: 2023-12-15 23:32
Die eingebautes Potenzial (bei 300 K) gleich fich = kT/qln(1016 x 9 x 1017/nich2) = 0,77 V, unter Verwendung von kT/q = 25,84 mV und nich = 1010 cm-3. Die eingebautes Potenzial (bei 100°C) entspricht fich = kT/qln(1016 x 9 x 1017/nich2) = 0,673 V, unter Verwendung von kT/q = 32,14 mV und nich = 8,55 x 1011 cm-3 (aus Beispiel 20).
Was ist folglich die eingebaute Spannung eines pn-Übergangs?
Da ist ein " gebaut -in" STROMSPANNUNG Bei der p-n-Übergang Grenzfläche, die das Eindringen von Elektronen in die p-Seite und Löcher in die n-Seite verhindert. Wenn das Stromspannung V ist positiv („Vorwärts“-Polarität), der Exponentialterm steigt schnell mit V an und der Strom ist hoch.
Und wie misst man das Barrierepotenzial? Ein gewöhnliches Voltmeter hat eine endliche Eingangsimpedanz, was einfach bedeutet, dass zu messen eine Spannung über, muss ein (geringfügiger) Strom durch das Voltmeter fließen. Also zu messen das eingebaute Potenzial einer Diode mit einem Voltmeter würde erfordern, dass der eingebaute Potenzial 'treiben' einen (kleinen) Strom durch das Voltmeter.
Was ist dann eine eingebaute Spannung?
4.3. 1 Die gebaut -im Potenzial. Die gebaut -in-Potential in einem Halbleiter gleich dem Potential über den Verarmungsbereich im thermischen Gleichgewicht. Es entspricht auch der Summe der Volumenpotentiale jeder Region, da das Volumenpotential den Abstand zwischen der Fermienergie und der intrinsischen Energie quantifiziert.
Was versteht man unter einer Verarmungsregion?
Verarmungsbereich oder Sperrschicht ist ein Region in einer P-N-Übergangsdiode, bei der keine mobilen Ladungsträger vorhanden sind. Sperrschicht wirkt wie eine Barriere, die dem Fluss von Elektronen von der n-Seite und von Löchern von der p-Seite entgegenwirkt.
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