Video: Was ist eine Sperrschicht in einer Diode?
2024 Autor: Miles Stephen | [email protected]. Zuletzt bearbeitet: 2023-12-15 23:32
Verarmungsbereich oder Sperrschicht ist ein Region in einem P-N-Übergang Diode wo keine mobilen Ladungsträger vorhanden sind. Sperrschicht wirkt wie eine Barriere, die dem Fluss von Elektronen von der n-Seite und von Löchern von der p-Seite entgegenwirkt.
Was ist dann die Verarmungsschicht in einer pn-Übergangsdiode?
In der Halbleiterphysik ist die Verarmungsbereich , auch genannt Sperrschicht , Erschöpfung Zone, Kreuzungsbereich , Raumladung Region oder Raumladung Schicht , ist ein isolierendes Region innerhalb eines leitfähigen, dotierten Halbleitermaterials, in dem die beweglichen Ladungsträger abdiffundiert oder von einem
Was versteht man unter einer Verarmungsregion? n / a Region in einem Halbleiterbauelement, gewöhnlich an der Verbindung von P-Typ- und N-Typ-Materialien, in denen weder ein Überschuss an Elektronen noch an Löchern vorhanden ist. Groß Erschöpfungsregionen Stromfluss unterbinden. Siehe auch Halbleiterdiode.
Außerdem, wie wird eine Verarmungsschicht in einer Diode gebildet?
Wenn P- und N-Halbleiter verbunden werden, um den Halbleiter mit PN-Übergang zu bilden Diode , springen die Elektronen in der Nähe des PN-Übergangs von N nach P und Löcher in der Nähe des Übergangs von P nach N. Dieses Phänomen erzeugt eine Raumladung Region oder ein Sperrschicht wie im Video gezeigt.
Was ist der Verarmungsbereich in einer Diode und warum bildet er sich?
Verarmungsbereich Details Ein Loch füllen macht ein negatives Ion und hinterlässt auf der n-Seite ein positives Ion. Eine Raumladung baut sich auf, wodurch ein Verarmungsbereich Dies verhindert jeden weiteren Elektronentransfer, es sei denn, es wird durch Anlegen einer Vorwärtsspannung an den Übergang unterstützt.
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